Биполярный транзистор БТ–3

Исходные данные для проектирования

Эмиттерный слой

. Концентрация доноров, см3 5*1020

. Глубина залегания, мкм 1,5

. Площадь эмиттера, мкм2 20

Базовый слой

. Концентрация акцепторов, см-3 51018

. Глубина залегания, мкм 2

. Время жизни электронов, нс 200

. Скорость поверхностной рекомбинации, см/с 1000

Эпитаксиальная пленка

. Концентрация доноров, см-3 21016

. Толщина пленки, мкм 3

. Диффузионная длина дырок, мкм 0,05

Подложка

. Концентрация акцепторов, см-3 21014

Скрытый слой

. Поверхностная концентрация доноров, см-2 2*1014

. Глубина залегания, мкм 1

Используемые константы

. = 3,14

. q = 1,610-19 Кл

. Т = 300 К

. kТ/q = 0,025

. = 8,8510-14 Ф/см

Похожые стьтьи по экономике

Дискретные устройства
принципиальная схема дискретный устройство Теория дискретных устройств (ТДУ) является сравнительно молодой и быстро развивающейся отраслью науки. Её появление в 30-х годах нашего столетия ...

Автоматизированная система измерения амплитудных и амплитудно-частотных характеристик усилителей
Автоматизированная система измерения амплитудных и амплитудно-частотных характеристик усилителей. Разработать автоматизированную систему снятия амплитудных и амплитудно-частотных ...

Анализ линейной электрической цепи во временной и частотной областях. Расчет и построение отклика аналогового фильтра на сигнал
Большинство сигналов имеют аналоговую природу, то есть изменяются непрерывно во времени и амплитуде и могут принимать любые значения на некотором интервале. Одним из методов обработки ...

Разделы

© 2019 - www.frontinformatics.ru