Биполярный транзистор БТ–3

Исходные данные для проектирования

Эмиттерный слой

. Концентрация доноров, см3 5*1020

. Глубина залегания, мкм 1,5

. Площадь эмиттера, мкм2 20

Базовый слой

. Концентрация акцепторов, см-3 51018

. Глубина залегания, мкм 2

. Время жизни электронов, нс 200

. Скорость поверхностной рекомбинации, см/с 1000

Эпитаксиальная пленка

. Концентрация доноров, см-3 21016

. Толщина пленки, мкм 3

. Диффузионная длина дырок, мкм 0,05

Подложка

. Концентрация акцепторов, см-3 21014

Скрытый слой

. Поверхностная концентрация доноров, см-2 2*1014

. Глубина залегания, мкм 1

Используемые константы

. = 3,14

. q = 1,610-19 Кл

. Т = 300 К

. kТ/q = 0,025

. = 8,8510-14 Ф/см

Похожые стьтьи по экономике

САР температуры электропечи сопротивления
Современные системы автоматического управления представляют собой сложные комплексы взаимодействующих технических устройств и элементов, работа которых основана на различных физических ...

Проект волоконно-оптической линии передачи на участке Волгоград-Ставрополь
Волгоград - административный центр Волгоградского края, находящегося на юго-западе страны, входит в состав Южного федерального округа. Население составляет 1021244 человека. Город имеет ...

Проектирование схемы комбинированного устройства
Методические указания к выполнению курсовой работы разработаны в соответствии с Государственным общеобразовательным стандартом среднего профессионального образования Республики Казахстан ...

Разделы

© 2020 - www.frontinformatics.ru