Биполярный транзистор БТ–3

Исходные данные для проектирования

Эмиттерный слой

. Концентрация доноров, см3 5*1020

. Глубина залегания, мкм 1,5

. Площадь эмиттера, мкм2 20

Базовый слой

. Концентрация акцепторов, см-3 51018

. Глубина залегания, мкм 2

. Время жизни электронов, нс 200

. Скорость поверхностной рекомбинации, см/с 1000

Эпитаксиальная пленка

. Концентрация доноров, см-3 21016

. Толщина пленки, мкм 3

. Диффузионная длина дырок, мкм 0,05

Подложка

. Концентрация акцепторов, см-3 21014

Скрытый слой

. Поверхностная концентрация доноров, см-2 2*1014

. Глубина залегания, мкм 1

Используемые константы

. = 3,14

. q = 1,610-19 Кл

. Т = 300 К

. kТ/q = 0,025

. = 8,8510-14 Ф/см

Похожые стьтьи по экономике

Принцип работы бытового дозиметра РАДЭКС РД-1503
Широкомасштабное загрязнение окружающей среды радиоактивными веществами после радиационной катастрофы на Чернобыльской атомной электростанции поставило остро вопрос о необходимости контроля радиационн ...

Считывание данных с пяти четырех битных датчиков и передача данных на персональный компьютер по интерфейсу RS232
микроконтроллер схема программа датчик Устройство предназначено для считывания данных с пяти четырех битных датчиков и передача данных на ПК по RS232. Принцип работы устройства: микроко ...

Технология проектирования в системе P-CAD
Автоматизированное проектирование (АП) - одно из направлений научно технического прогресса в области автоматизации проектирования, к ней относится далеко не всякое применение ЭВМ. Для АП ...

Разделы

© 2019 - www.frontinformatics.ru