Биполярный транзистор БТ–3

Исходные данные для проектирования

Эмиттерный слой

. Концентрация доноров, см3 5*1020

. Глубина залегания, мкм 1,5

. Площадь эмиттера, мкм2 20

Базовый слой

. Концентрация акцепторов, см-3 51018

. Глубина залегания, мкм 2

. Время жизни электронов, нс 200

. Скорость поверхностной рекомбинации, см/с 1000

Эпитаксиальная пленка

. Концентрация доноров, см-3 21016

. Толщина пленки, мкм 3

. Диффузионная длина дырок, мкм 0,05

Подложка

. Концентрация акцепторов, см-3 21014

Скрытый слой

. Поверхностная концентрация доноров, см-2 2*1014

. Глубина залегания, мкм 1

Используемые константы

. = 3,14

. q = 1,610-19 Кл

. Т = 300 К

. kТ/q = 0,025

. = 8,8510-14 Ф/см

Похожые стьтьи по экономике

Датчик газов и паров алкоголя
С момента первой публикации описания подобного устройства в журнале "Радио" прошло около 10 лет. За этот время было описано несколько подобных приборов: от простейших до собранных на микроко ...

Синтез центрального обрабатывающего устройства ЦВМ
Целью данного курсового проектирования является практическое закрепление основных разделов дисциплины «Цифровые ЭВМ», посвященных изучению принципов структурной и функциональной организа ...

Разработка датчиков ускорений или параметров вибрации
датчик сейсмический вибрационный схема Устройство вибрационного перемещения включает подвижный механизм, установленный между двумя параллельными поверхностями, и источник вибрационных возмущений, пер ...

Разделы

© 2022 - www.frontinformatics.ru