Биполярный транзистор БТ–3

Исходные данные для проектирования

Эмиттерный слой

. Концентрация доноров, см3 5*1020

. Глубина залегания, мкм 1,5

. Площадь эмиттера, мкм2 20

Базовый слой

. Концентрация акцепторов, см-3 51018

. Глубина залегания, мкм 2

. Время жизни электронов, нс 200

. Скорость поверхностной рекомбинации, см/с 1000

Эпитаксиальная пленка

. Концентрация доноров, см-3 21016

. Толщина пленки, мкм 3

. Диффузионная длина дырок, мкм 0,05

Подложка

. Концентрация акцепторов, см-3 21014

Скрытый слой

. Поверхностная концентрация доноров, см-2 2*1014

. Глубина залегания, мкм 1

Используемые константы

. = 3,14

. q = 1,610-19 Кл

. Т = 300 К

. kТ/q = 0,025

. = 8,8510-14 Ф/см

Похожые стьтьи по экономике

Биполярный транзистор БТ–3
Исходные данные для проектирования Эмиттерный слой . Концентрация доноров, см3 5*1020 . Глубина залегания, мкм ...

Аналого-цифровой преобразователь
В науке и технике, политике и искусстве, живых организмах и машинах - всюду непрерывно происходит передача информации, т.е. Сведений о состоянии материи, каких-либо событиях. Как правило, передача инф ...

Разработка логической схемы реализации линии связи
  К общей шине (ОШ) подключены несколько абонентов, каждый из которых функционирует автономно в соответствии с управляющей информацией, полученной от специального устройства - арбитра общей ш ...

Разделы

© 2019 - www.frontinformatics.ru