Выращивание монокристалла с заданными свойствами

Содержание работы.

В данной курсовой работе разрабатывается технологический процесс получения легированного монокристалла ФГДЦЧ-5-17, на 20% компенсированного теллуром, с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более ±50%. Рассматривается процесс синтеза материала и условия легирования, режим роста монокристалла.

Исходные данные

Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ФГДЦЧ -5-17, на 20% компенсированного теллуром, длиной 400 мм, диаметром 50 мм с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более Dp/p = ± 50%.

Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет цинк 10-4 масс. %. Определить выход годного материала. Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.

Похожые стьтьи по экономике

Выбор периодов следования неэквидистантных последовательностей импульсов
Изучение большинства разделов радиотехники базируется на знании и умении применять на практике большого количества математических методов и подходов. Для этого в курс обучения студентов ...

Проектирование автоматической системы пожаротушения
пожаротушение автоматическая установка дренчерное В современных условиях кризиса экономики, халатного отношения к соблюдению мер пожарной безопасности государственная противопожарная служ ...

Разработка маркерного приёмника
В данной работе мне необходимо разработать маркерный приёмник и произведя расчёт его элементов таким образом, что бы параметры разрабатываемого мною приёмника соответствовали требования ...

Разделы

© 2019 - www.frontinformatics.ru