Выращивание монокристалла с заданными свойствами

Содержание работы.

В данной курсовой работе разрабатывается технологический процесс получения легированного монокристалла ФГДЦЧ-5-17, на 20% компенсированного теллуром, с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более ±50%. Рассматривается процесс синтеза материала и условия легирования, режим роста монокристалла.

Исходные данные

Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ФГДЦЧ -5-17, на 20% компенсированного теллуром, длиной 400 мм, диаметром 50 мм с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более Dp/p = ± 50%.

Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет цинк 10-4 масс. %. Определить выход годного материала. Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.

Похожые стьтьи по экономике

Расчет, моделирование на ПЭВМ и испытание цифровых фильтров
Фильтром называется устройство, предназначенное для определения одной части входной совокупности сигналов и помех (входного сигнала) от другой ее(его) части. Фильтрация осуществляет подавление нежелат ...

Датчик силы с пределами чувствительности
Любая автоматизация предполагает управление техническим процессом на основе сбора, обработки и накопления информации. Поэтому неотъемлемую часть автоматических устройств и автоматизированных систем уп ...

Сетевое приложение по обслуживанию лифтов
netcracker моделирование лифт приложение Данная курсовая работа направлена на выполнение двух основных задач: моделирование компьютерной сети и создание сетевой информационной системы «Се ...

Разделы

© 2021 - www.frontinformatics.ru