Выращивание монокристалла с заданными свойствами

Содержание работы.

В данной курсовой работе разрабатывается технологический процесс получения легированного монокристалла ФГДЦЧ-5-17, на 20% компенсированного теллуром, с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более ±50%. Рассматривается процесс синтеза материала и условия легирования, режим роста монокристалла.

Исходные данные

Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ФГДЦЧ -5-17, на 20% компенсированного теллуром, длиной 400 мм, диаметром 50 мм с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более Dp/p = ± 50%.

Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет цинк 10-4 масс. %. Определить выход годного материала. Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.

Похожые стьтьи по экономике

Анализ развития робототехники
Актуальность. Развитие отечественной робототехники переживает большие трудности, отрасль фактически поставлена на грань выживания. Есть несколько причин такого положения. Во-первых, ...

Цифровая обработка данных с помощью автоматических устройств
  Цифровая обработка данных с помощью автоматических устройств является результатом технического прогресса не только последних десятилетий. Еще в средние века были созданы примитивные по совр ...

Авиационные приборы
Акселерометр - это прибор для измерения ускорения(перегрузок), возникающего на летательных аппаратах, ракетах, самолетах и других движущихся объектах, при использовании машин, двигателей и т.д. Аксел ...

Разделы

© 2021 - www.frontinformatics.ru