Выращивание монокристалла с заданными свойствами

Содержание работы.

В данной курсовой работе разрабатывается технологический процесс получения легированного монокристалла ФГДЦЧ-5-17, на 20% компенсированного теллуром, с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более ±50%. Рассматривается процесс синтеза материала и условия легирования, режим роста монокристалла.

Исходные данные

Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ФГДЦЧ -5-17, на 20% компенсированного теллуром, длиной 400 мм, диаметром 50 мм с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более Dp/p = ± 50%.

Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет цинк 10-4 масс. %. Определить выход годного материала. Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.

Похожые стьтьи по экономике

Проект волоконно-оптической линии передачи на участке Волгоград-Ставрополь
Волгоград - административный центр Волгоградского края, находящегося на юго-западе страны, входит в состав Южного федерального округа. Население составляет 1021244 человека. Город имеет ...

Волоконно-оптические линии связи
Сегодня связь играет важную роль в нашем мире. И если ранее для передачи информации использовались медные кабели и провода, то теперь наступило время оптических технологий и оптоволоконных кабелей. Се ...

Калибровка цифровой камеры Nikon D60
В качестве исходных данных принимают: ) Стереопара цифровых снимков плоского тест-полигона с зоной перекрытия 100%. Рисунок 1.1 - Снимок № 2 (левый) Рисунок 1. ...

Разделы

© 2019 - www.frontinformatics.ru