Обоснование выбора метода выращивания GaP

Фосфид галлия обладает высокой температурой плавления. Из раствора GaP будет испаряться фосфор, этого можно избежать, применив специальный флюс. Для выращивания монокристалла фосфида галлия данной массы и размеров воспользуемся методом Чохральского для разлагающихся полупроводниковых соединений. Наш выбор основан на том, что, во-первых, другие распространенные методы получения монокристаллов с высокой степенью совершенства (метод бестигельной зонной плавки, метод гарнисажной плавки) не позволяют работать с разлагающимися соединениями. В методе гарнисажной плавки невозможно применить покровный флюс, потому как необходимо обеспечить доступ электронного пучка к расплавляемой зоне. В методе бестигельной зонной плавки в силу вертикальной ориентации флюс не применим. А ,во-вторых, технология метода Чохральского хорошо изучена и является наиболее дешевым вариантом.

Похожые стьтьи по экономике

История и современное развитие звукозаписи
Звукозапись - процесс сохранения воздушных колебаний в диапазоне 20-20000 Гц (музыки, речи или иных звуков) на каком-либо носителе с помощью специальных приборов. Грампластинки, аудио ...

Проектирование каналов радиосвязи
Техника передачи информации с каждым годом приобретает все больше значения, являясь одним из основных компонентов современных систем управления, в том числе и автоматизированного. На же ...

Микроконтроллеры MSP430
Микроконтроллеры семейства MSP430 - серия 16-ти разрядных микроконтроллеров фирмы Texas Instruments (www.ti.com). Американская фирма TI является мировым лидером по производству цифровых сигнальных про ...

Разделы

© 2022 - www.frontinformatics.ru