Обоснование выбора метода выращивания GaP

Фосфид галлия обладает высокой температурой плавления. Из раствора GaP будет испаряться фосфор, этого можно избежать, применив специальный флюс. Для выращивания монокристалла фосфида галлия данной массы и размеров воспользуемся методом Чохральского для разлагающихся полупроводниковых соединений. Наш выбор основан на том, что, во-первых, другие распространенные методы получения монокристаллов с высокой степенью совершенства (метод бестигельной зонной плавки, метод гарнисажной плавки) не позволяют работать с разлагающимися соединениями. В методе гарнисажной плавки невозможно применить покровный флюс, потому как необходимо обеспечить доступ электронного пучка к расплавляемой зоне. В методе бестигельной зонной плавки в силу вертикальной ориентации флюс не применим. А ,во-вторых, технология метода Чохральского хорошо изучена и является наиболее дешевым вариантом.

Похожые стьтьи по экономике

Расчет электромагнитных характеристик структурированной кабельной сети
В стандарте ISO/IEC 11801:2002(E) электрические каналы и линии разбиты на шесть классов: A, B, C, D, E и F. Каналы и линии указанных классов обеспечивают гарантированную поддержку аппар ...

Синтез цифрового автомата с жесткой логикой
Окружающая нас информация постоянно претерпевает преобразования. Однако не все окружающие нас преобразователи информации выполняет только функциональное отображение информации вход-выход. Результат пр ...

Акселерометр пьезоэлектрического типа
По естественной входной величине прибора методы измерения параметров движения могут быть разбиты на две группы. К первой группе относятся методы, основанные на осуществлении непо ...

Разделы

© 2020 - www.frontinformatics.ru